本发明公开了一种检测晶格位错的方法，包含如下步骤：选取失效器件进行电学测试，多次扫描测量其电压-电流曲线，观察多次扫描得到的电压-电流曲线有无逐渐变大或变小的情况；对失效器件进行烘烤，重新多次测量其电压-电流曲线，观察有无逐渐变大或变小的情况；对于确定电压-电流曲线发生变化的器件，进行微光显微镜定位，进一步缩小位错的范围；将器件进行研磨，用聚焦离子束进行切割，物理解析制样形成透射电子显微镜样品；采用常规透射电子显微镜观察方式进行位错观察，获得位错像。上述方法通过电学分析到物理分析的流程，分析位错并找出位错的位置，提高集成电路器件失效分析的效率，降低成本。
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来源：北方有色网
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