本发明公开了一种倒装
芯片的电迁移可靠性有限元分析方法，通过对倒装芯片进行建模、网格划分并添加边界条件，进行电热耦合分析和结构分析，模拟不同的电流大小、材料种类以及
铜迹线的结构对温度分布、电流密度分布、焦耳热分布以及应力分布进行分析，将仿真结果代入布莱克方程得到结构的平均失效时间，能够准确得到热点位置和易发生失效的位置，能更直观的发现电迁移失效寿命的影响因素和规律，为后续提高可靠性的方案提供了改进方向。
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“倒装芯片的电迁移可靠性有限元分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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