本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种基于三维TEM样品进行缺陷分析的方法。包括以下步骤：提供带有缺陷的半导体样品；在待观测区域形成第一标记；横向电镀第一铂金保护层；制备第一TEM样品；测量缺陷到第一标记的距离；将第一TEM样品放置到半导体样品上；纵向电镀第二铂金保护层；制备三维TEM样品；三维TEM成像。本发明的技术方案，在制备三维TEM样品的基础上，进行两个方向的TEM观测和成像，可以得到半导体制程中缺陷的形貌、大小、所处层次等全面信息，进行对所述缺陷进行准确失效分析，从而提出对半导体制程的可靠改进意见；本发明的技术方案操作方法简单，三维TEM样品制备效率高，对TEM样品进行失效分析效果好，准确率高。
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来源：北方有色网
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