本发明公开了IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统，属于电力电子器件劣化失效与状态评估领域。本发明方法直接从SiC半导体空间电荷定域化行为出发，对正向阻断状态SiC半导体空间电荷行为进行测量，并通过空间电荷测量结果提取SiC半导体微观电荷特性参数，建立劣化模型。通过劣化模型和微观电荷特性参数，实现了对SiC半导体进行劣化状态评估与寿命预测。本发明的这种状态评估方法从SiC半导体微观劣化机理出发，可以更好的反应其劣化失效特征、更加有效的评估其劣化状态与工作寿命。
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来源：北方有色网
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