本发明涉及一种基于失效物理的MOS器件可靠性仿真评价方法，包括以下步骤：步骤一：采集MOS器件相关参数；步骤二：进行失效模式、机理及影响分析；步骤三：建立CFD、FEA和故障预计模型；步骤四：开展温度、振动、电特性仿真分析；步骤五：进行应力损伤分析；步骤六：进行累积损伤分析；步骤七：考虑偏差进行参数随机化仿真；步骤八：利用竞争失效机制得到失效前时间向量：步骤九：评估器件的平均首发故障时间。本发明基于失效物理理论，从MOS器件可能失效的原因入手，通过分析获得器件潜在失效机理和对应失效物理模型，进行仿真分析确定器件使用应力，最后计算得到MOS器件使用条件下的平均首发故障时间。此方法属于MOS器件可靠性仿真评价技术领域。
声明：
“基于失效物理的MOS器件可靠性仿真评价方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
861
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
