本发明提供了一种晶体管栅极硅氧化层失效机理的鉴定方法，所述鉴定方法包括：提供晶圆样品并确定失效区域，采用化学试剂去除失效区域内位于硅基体表面的全部膜层，对硅基体的表面硅缺陷进行刻划，根据硅缺陷或硅晶体缺陷的形状判断栅极硅氧化层的失效机理，如果硅缺陷是晶体状且呈现“多个方斗型组合坑”结构，表明栅极硅氧化层的失效原因是污染造成的。本发明提供的鉴定方法主要用于快速鉴定晶体管栅极硅氧化层的失效机理，可以快速找到栅极硅氧化层的失效原因，从而对症下药，选择合适的解决方案，提高了晶体管栅极硅氧化层失效分析方法的准确率、成功率和检测速度，大大降低了分析成本和不必要的分析成本。
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来源：北方有色网
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