本发明揭示了一种集成电路中可靠性分析的测试结构，该测试结构包括：待测结构；N个虚拟结构，N个所述虚拟结构与所述待测结构电连接，N为大于0的正整数；包括第一引线结构和第二引线结构的引线结构；和包括第一通孔结构和第二通孔结构的通孔结构。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括：提供一衬底，根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构；所述第二引线结构接一第一测试电流，所述第一节点接地，测量第一失效电流。本发明的测试结构，能准确评估焦耳热效应对器件的影响，从而保证可靠性分析的准确性。
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来源：北方有色网
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