本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法，步骤如下：(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N；(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入，运行FPGA，记录FPGA输出是否出现错误；(3)重复第(2)k次，直到失效率在30％到70％；(4)根据实际条件，按照最终选定的N，进行尽量多次的故障注入，获得较好的统计性，推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次；(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN，然后用1?(1?λN)M/N估计电路的失效率上限，得到电路设计的SEU数目M?电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入，即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价，大大减少了实验的次数和评估的周期。
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来源：北方有色网
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