一种MOS电容失效点定位方法,包括:形成测试MOS电容;在测试MOS电容上方沉积介质层及金属层,获得MOS电容测试结构;对所述MOS电容测试结构进行测试,获得失效点位置信息。所述在测试MOS电容上方沉积金属层的方法包括在测试MOS电容上方沉积第一辅助金属层及第二辅助金属层或在测试MOS电容上方沉积具有规则图形的金属层。利用双层金属线形成的网格或单层金属层内规则图形作为光学检测图像中的坐标,可提供准确的失效点位置信息;且双层金属线或单层金属层内规则图形的制作工艺简单,无需单独增加生产步骤或引入
新材料,既不会增加生产成本也不会对最终获得的器件的性能产生不良影响。
声明：
“MOS电容测试结构及失效点定位方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
962
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
