本发明公开了一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其中，所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。本发明还公开了一种半导体失效定位方法。本发明的半导体失效定位测试单元及其失效定位方法使用现有失效定位分析仪器能快速、准确抓取故障点(热点/Hot Spot)位置的半导体失效定位测试单元。
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来源：北方有色网
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