一种分析半导体器件
多晶硅接点断开失效和接点偏离的剥层处理方法,它包括下列步骤:除掉包含存储单元的晶片上的钝化层和双金属层;利用等离子干腐蚀方法,选择地除掉形成电容器的多晶硅和形成位线的多晶硅的上层部分;利用含HF的腐蚀剂进行湿腐蚀,以便露出场氧化层,同时留下位于晶片上的形成位线的多晶硅和形成电容器存储节点的多晶硅的下部。
声明：
“关于分析半导体器件失效的剥层处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
895
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
