本发明公开一种采用混合
半导体技术的RCC电路，涉及开关电源领域，电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底，三晶体管共用一个晶圆，减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组N
a，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号，无须控制
芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈，通过在关断时间内，对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算，间接获取输出电压信息，从而实现对输出电压的实时精确调控。
声明：
“采用混合半导体技术的RCC电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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