本发明一种提高GaN基LED
芯片外观良率的测试方法。该方法是将异方性导电膜电气导通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片电极上，在异方性导电膜无需与芯片电极对位的情况下实现测试探针与所述芯片电极的非接触电连接，进行LED芯片测试。本发明在LED芯片测试中引入异方性导电膜，利用其不同维度导电性能的差异，实现测试针与芯片电极的非接触测量，达到无损测试、提高GaN基LED芯片外观良率的要求。
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“提高GaN基LED芯片外观良率的测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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