本发明提供了一种测量半导体非平衡载流子寿命的新方法。是用光注入方法在半导体中激发自由载流子,移动反射谱反射边的频率位置,从而使另一束频率在反射边上的入射光在半导体表面的反射率大幅度地变化。利用这方法来测量半导体内非平衡载流子的寿命,不仅对制作样品无严格要求,而且是无损伤、非接触测量,可以研究各种能量状态下的载流子寿命,更可以检查样品的均匀性。
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来源：北方有色网
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