基于隐退化的金属封装功率MOSFET贮存可靠性检测技术，其步骤如下：1.确定金属封装功率MOSFET温度循环加速贮存试验方案；2.建立金属封装功率MOSFET隐退化模型；3.估计金属封装功率MOSFET隐退化模型参数；4.评估温度循环加速贮存条件下金属封装功率MOSFET贮存可靠性及贮存寿命；5.评估实际贮存条件下金属封装功率MOSFET贮存可靠寿命。本发明为金属封装功率MOSFET提供一种贮存可靠性及贮存寿命的无损检测技术，可推广至其它气密封装产品的贮存可靠性检测，提高了气密封装产品的贮存可靠性检测水平。
声明：
“基于隐退化的金属封装功率MOSFET贮存可靠性检测技术” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
893
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
