本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于
半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌和温度的装置在N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过N个第一分光片和N个第二分光片，可以使入射到样品上并返回的N束第一种反射光分成两个方向，分别进行探测，能够得到用于检测晶片基底二维形貌的数据；该装置还通过在第一分光片或者第二分光片相应区域镀膜的方法，在第一分光片或者第二分光片上耦合温度测量装置，得到用于检测晶片基底温度的数据。由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
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“检测晶片基底二维形貌和温度的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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