本发明提供了用于确定在某些半导体器件,例如高压横向双扩散金属氧化物半导体(HVLDMOS)晶体管中掺杂浓度的一种方法。在将该器件施加一个反向偏置电压V的同时,利用一束辐射能量(例如通过一个显微镜聚焦到该器件上的一束激光)沿该器件的长度方向扫描。所得的辐射束感生电流信号用于测量给定偏置电压V下的耗尽层宽度W,该宽度W随着偏置电压V的升高而增大。根据一组电压值V和对应的宽度值W,利用一个适合的数学算法可以确定相应的掺杂浓度N
D的分布。
声明：
“无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
824
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
