本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置，利用位错的发光规律，通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像，辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷，进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选，是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比，所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备，系统搭建简单、成本低、操作简单。
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来源：北方有色网
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