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SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置

831   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:57:52
本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置,利用位错的发光规律,通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像,辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷,进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选,是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比,所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备,系统搭建简单、成本低、操作简单。
声明:
“SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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