本发明公开了一种硅外延层过渡区的无损检测方法，属于硅外延生长技术领域。本发明的方法包括下述步骤：（1）生长前利用电容位移传感器的方法先测量硅衬底片总厚度Tsub；（2）将硅衬底片外延生长，取片后利用红外膜厚测试仪测量硅外延层厚度Tepi，测量位置和外延前测量硅衬底片厚度的位置相对应；（3）然后利用电容位移传感器测量外延后的硅片的总厚度Ttot，其测量位置和硅衬底片测量厚度的位置相对应；（4）利用公式:(硅衬底片总厚度Tsub+硅外延层厚度Tepi)–外延后硅片的总厚度Ttot，得到过渡区长度。本发明的方法具有无损、准确率高、检测速度快的优点。
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来源：北方有色网
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