本发明属于
芯片制造技术领域，尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺，针对现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：单向光刻；S4：低温氧化；S5：离子注入；S6：氧化表面处理；S7：光刻处理；S8：测试，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS，背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件，漏电流低，电容值低，高温反偏性能强，抗浪涌能力强。
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来源：北方有色网
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