本发明涉及一种脉冲激光沉积制备Co3O4薄膜电极材料的方法及其应用。在约30Pa的氧气气氛中利用脉冲激光烧蚀纯度大于等于99.9%金属
钴靶材，在Mo基片上溅射沉积制备Co3O4薄膜电极材料，基片温度为250℃。此法制得的Co3O4薄膜
电化学性能测试结果表明此电极材料具有良好的倍率特性和循环性能，可用于超级电容器电极材料，具有较好的应用前景。
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“脉冲激光沉积制备四氧化三钴薄膜电极材料的方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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