本发明属于
半导体材料领域，公开了一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbNx，其中Sb代表锑元素，N代表氮原子，x代表不同的掺氮量标记，x＝1、2或3；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为9.6％,x＝2时掺入的氮原子百分比为15.3％；x＝3时掺入的氮原子百分比为22.5％。本发明的掺氮的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氮原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
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“掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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