本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb
2(Se
1‑xS
x)
3，其厚度小于或等于2μm。本发明制备工艺简单，对设备要求低，制备出的合金薄膜均匀致密，其禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调，可用于制备薄膜
太阳能电池、光电探测器等光电器件。
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来源：北方有色网
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