本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。本发明在隧穿氧化层中，由于掺氮浓度随着氧化层深度逐渐递减，因此使得整体隧穿氧化层能级也呈平缓递减，当器件处在写入状态时，由于能带在外电场下发生偏转，从而电子发生隧穿时通过的势垒区仍与普通SONOS器件相同，从而保证了擦写速度的要求。同时，在可靠性测试时，需要高温进行烘烤，由于梯度隧穿层的作用，电子逃逸更难以实现，从而保证了SONOS器件的数据保存能力。
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来源：北方有色网
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