本发明专利公开了具有室温线性磁阻效应的层状单晶材料、制备方法及应用，具体涉及单晶材料的技术领域。采用化学气相输运法生长Fe5GeTe2单晶。制备方法包括如下步骤：S1、按照摩尔质量比5:1:2配制Fe、Ge、Te原料；S2、按照5mg/cm–2配制I2；S3、将步骤S1和S2中配制好的原料进行充分研磨，然后将研磨后的原料置于石英管内，并将石英管抽为真空状态；S4、石英管密封后放置于两温区管式炉中，生长端700℃,原料端750℃，经过7天的生长周期，自然降温即可获得毫米级的具有高质量的Fe5GeTe2单晶体。采用本发明技术方案解决了现有磁传感器的磁滞现象对测量精度影响较大的问题，可用于制备温度范围适用更广的单晶材料。
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来源：北方有色网
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