本发明公开了一种
纳米材料及器件制备方法，特别是一种IIB-VIB族半导体/CdS纳米p-n结的制备方法。本发明是在化学气相沉积方法合成的磷掺杂p-型IIB-VIB族半导体纳米线的基础上，运用原子层沉积技术在p-型IIB-VIB族半导体纳米线表层包裹生长CdS壳层。将IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构，通过光刻和电子束镀膜技术在所制备核壳结构的金电极和钛电极，从而制备完成IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结器件。本发明所制得的IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结性能良好、可控性高，可大规模制备；可广泛应用于
太阳能电池、光电探测等纳米光电子领域。
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“IIB-VIB族半导体/CdS纳米p-n结的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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