本发明涉及一种基于少层二维
半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
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“基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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