本发明公开了一种双层PNZST
钙钛矿反铁电薄膜及其制备方法，该反铁电薄膜包括化学通式为Pb
0.99Nb
0.02(Zr
0.55Sn
0.40Ti
0.05)
0.98O
3（简写为PNZST）的材料；本发明设计了一种合适的射频磁控溅射方法来提高薄膜的
储能性能，在该方法中对同一种PNZST材料采用不同射频磁控溅射工艺以分段式以及分层式的方式原位制备双层薄膜，测试结果表明通过合适的溅射工艺所制备的钙钛矿PNZST反铁电双层异质结构薄膜，与其他单层反铁电PNZST薄膜相比，此种工艺下所制备的双层PNZST薄膜具有更高的介电常数以及击穿场强,这有利于获得较高的储能密度以及较高的储能效率；双层反铁电PNZST薄膜其储能密度值高达39.35J/cm
3，该值为单层反铁电PNZST薄膜储能密度值的1.43倍。
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“双层PNZST钙钛矿反铁电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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