本发明公开了一种优化晶体硅
太阳能电池PN结的方法，步骤如下：扩散；酸溶液对PN结腐蚀：将扩散后的硅片置于化学清洗机台中，采用HNO3、HF和DI水的混合溶液对硅片进行腐蚀，所述HNO3∶HF∶DI水的体积比为10∶1∶100, 反应时间为20～60s；PN结碱溶液处理 : 由于酸性腐蚀液对硅片进行酸性腐蚀时，表面会产生薄多孔硅层，需采用KOH和DI水的混合溶液对其清洗，所述KOH∶DI水的体积比为5∶100, 反应时间为20～60s；清洗；刻蚀；PECVD；丝网印刷；烧结测试。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。
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来源：北方有色网
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