本发明公开了一种基于超构表面结构的像素级片上光谱
芯片工艺制备方法，采用紫外光刻、扩散、电子束蒸发镀膜、刻蚀等工艺在InP/InGaAs/InP材料上制备宽波段InGaAs光敏元，采用纳米压印、反应离子刻蚀、低压化学沉积等工艺片上集成制备像素级微滤光面阵，微滤光单元与光敏元一一对应，最后采用倒装互联焊接工艺将读出电路与宽波段InGaAs光敏元集成微滤光面阵精准对接互联。本发明的有益效果：适用于光谱成像仪小型化需求，实现精细的图谱信息采集，根据不同观测物特征波长设计制备多通道窄带滤光片，实现对不同被测目标的光谱成像，兼容MEMS工艺制备，其次采用纳米压印工艺使批量制备成本低，有利于推广应用。
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来源：北方有色网
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