本发明涉及晶体硅表面镀膜领域，具体是一种新型PECVD的镀膜工艺，工艺步骤为：进炉升温稳定温度；氨气吹扫；抽真空检漏；预沉积；通化学反应气体开射频电离；抽真空；充气；退火；出炉。采用本发明的镀膜工艺镀膜的硅片制备的
电池片因为修复了硅片表面的轰击损伤，降低了硅片表面的悬挂键数量，减少了复合中心，降低了电子的复合速率，增加了用于输出电流的电子空穴对，提高了电池片的短路电流，提高了电池片的效率，极大地增加了在本行业的竞争力。
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来源：北方有色网
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