本发明公开了一种GaAs单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方，涉及化学工艺技术领域。所述方法包括：将包括晶向偏转角在预设偏转角范围内的待测GaAs{100}晶片的观察面进行抛光处理，获得待测晶片；按照预设比例配制氢氟酸、双氧水、去离子水的混合液为腐蚀液，并将其置于腐蚀槽中；将腐蚀槽置于有冰水混合物的水浴锅内，并维持腐蚀槽内腐蚀液温度在3～8℃范围内；开启光源，使光照射在所述腐蚀槽底部；将待测晶片置于镂空底座上，并将镂空底座放入所述腐蚀槽内，使镂空底座上的待测晶片处于腐蚀槽中冷光源的照射范围内，并令腐蚀液浸没待测晶片，反应30～50分钟。本发明能避免腐蚀过程中晶片碎裂，以及能够降低腐蚀掉量。
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来源：北方有色网
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