本发明属于化合物半导体晶片抛光技术领域，具体涉及一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法。该方法包括化学机械抛光和表面硫化钝化处理，其中，化学机械抛光采用包含胶体二氧化硅、弱碱性氧化剂、有机钠盐、pH调节剂和水的碱性抛光液。本发明较好地解决了InAs衬底这种较软的化合物衬底抛光时易产生的划痕、颗粒污染及在外延生长时表面难脱氧等问题，采用该方法处理的InAs衬底可稳定生长出高质量的超晶格红外探测器外延片。
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来源：北方有色网
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