本发明公开了一种可控硅的生产工艺，包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻阴极步骤、阴极扩散步骤、光刻台面槽步骤、化学腐蚀台面槽步骤、光刻阴极门极槽步骤、化学腐蚀阴极门极槽步骤、玻璃钝化步骤、光刻引线孔步骤、正面蒸
铝步骤、铝反刻步骤、
铝合金步骤、背面喷砂步骤、背面金属化步骤、
芯片测试步骤、划片步骤和芯片包装步骤，其特征在于：所述进行穿通扩散步骤和光刻阴极步骤之间增加了短基区扩散步骤，所述短基区扩散步骤包括镓预淀积步骤和镓再分布步骤。优点是：提高了可控硅的可靠性和适用性。
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来源：北方有色网
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