本发明公开了一种构织后硅片表面沉积
铜及铜氧化物的Cu/CuO@SiNWs光电
复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：将N型平面单晶硅片超声清洗，将其置于浓强酸与氧化剂的混合溶液中浸渍后去离子水冲洗，再用HF溶液浸渍；将处理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中，去离子水冲洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蚀；将SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜，用PdCl2溶液活化后进行化学镀铜，去离子水清洗、干燥；再将获得的硅‑铜复合材料置于马弗炉内于保护性混合气氛（含还原性气体）中程序升温焙烧即得复合光电材料，
电化学性能测试表明所获材料具有较高的PEC分解水性能和稳定性。
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“Cu/CuO@ SiNWs光电复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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