本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi
3‑xEu
xO
4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的
稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu
3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，
光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。
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“Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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