本发明公开了一种
锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体
纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS
2二维晶体的制备方法为：以MnO
2、NaCl、WO
3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO
2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS
2二维晶体。本实验室生长的本征WS
2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS
2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
声明：
“锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1160
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
