本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，公开了一种晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料、制备方法和应用，本发明的晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料包括包括绝缘衬底层，以及绝缘衬底层上依次叠层设置的III‑VI族化合物薄膜层和电极层；III‑VI族化合物薄膜层的化学式为In2X3，且其通过以下步骤设置于绝缘衬底层上：在绝缘衬底层上蒸镀一层In金属层；随后，采用化学气相沉积法，以X粉末为前驱体，将In金属层反应形成In2X3，即获得III‑VI族化合物薄膜层；其中，X为硫族元素。本发明结合了电子束蒸发镀膜和化学气相沉积技术、制备了晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料。本发明的方法简单，易于操作。
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来源：北方有色网
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