本发明公开了一种
碳化硅单晶薄膜的制备方法，工艺流程主要包括：样品清洗、晶圆键合、原始厚度测量、碳化硅减薄、厚度监测、二次厚度测量、化学机械抛光、样品清洗、薄膜表征等工艺。通过该方法可以获得表面平坦的微米级厚度的碳化硅单晶薄膜，同时也避免了另一种常见的薄膜制备方法smart cut工艺过程中需要注入高剂量的氢离子从而增加缺陷的影响。所制备的碳化硅单晶薄膜是硅衬底上的
异质材料，用户可以很方便地将其从衬底上分离出来，也可以选择性地保留薄膜的部分衬底，方便后续的使用。通过该方法原则上也可以由块状样品获得暂时还难于异质外延生长或者难于沿特定晶向异质外延生长的碳化硅薄膜材料以及其它薄膜材料。
声明：
“碳化硅单晶薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1226
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
