本发明涉及一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法，其步骤如下：(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理一定时间后，取出基体材料并用去离子水清洗，烘干；(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应一定时间后取出，不经清洗直接烘干；(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列。本发明通过改变化学条件实现了纳米羟基磷灰石晶体阵列的形成及其结构控制，工艺稳定，成本低廉，能实现大规模生产。本发明在材料表面改性、生物信息检测及疾病诊断等领域具有广泛的应用价值。
声明：
“高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1199
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
