本发明的半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法，属于拉曼散射信号增强的技术领域。金刚石基底的结构在硅片或金刚石的衬底表面生长有掺杂硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金刚石膜。采用化学气相沉积方法在衬底上沉积掺杂金刚石膜；制得的掺杂金刚石膜还可以进行表面功能化处理，获得表面氢终止或氧终止的掺杂金刚石膜，以提高增强因子。本发明首次以金刚石材料作为一种新的半导体SERS基底，具有高灵敏度、稳定性、可重复性、以及具有良好生物兼容性；增强因子可达到10
2‑10
5，并可用于多种不同的探针分子检测。
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来源：北方有色网
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