本发明公开了一种铕、钕共掺杂的
铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法，所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr
1‑x‑yAl
2Si
2O
8：xEu
2+，yNd
3+，其中，0.001≤x≤0.2，0.001≤y≤0.2。本发明所述的制备方法为高温固相法，原料简单易得，价格低廉，适用于批量大规模生产，本发明所述的铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料与以往材料相比，性能极大提升，除了具备光存储材料之外，荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明，以及白光LED的蓝色发光源，适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
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“铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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