本发明提供了一种CMOS影像传感器及其形成方法，通过浅槽隔离与其相邻的光电二极管之间形成有高K介质层，从而有效避免浅槽隔离结构中的（缺陷）电子移动传递到光电二极管中，进而防止光电二极管检测到非光照产生的电流（即暗电流）。特别的，所述高K介质层通过化学气相沉积工艺、炉管工艺或者原子层淀积工艺即可形成，其工艺实现方法简单，膜层质量可靠，从而能够很好地避免浅槽隔离结构中的（缺陷）电子移动传递到光电二极管中，保证CMOS影像传感器的质量。
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来源：北方有色网
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