一种基于金属氧化物半导体薄膜
纳米材料的H
2S气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。首先是在
氧化铝陶瓷衬底的金叉指电极上制备种子层，在种子层的基础上采用
电化学沉积的方法，将金属材料沉积在电极上，热退火后得到金属氧化物半导体薄膜材料。以制备的NiO/CuO薄膜纳米材料为例，对低浓度的H
2S气体表现出较高的响应，在检测H
2S含量方面有很好的应用前景。该制备方法的条件温和，合成方法简单，成本低廉，实验周期短，并且具有很好的重现性，因此具有重要的应用价值。
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“基于金属氧化物半导体薄膜材料的H2S气体传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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