一种基于二维层状SnS
2纳米花
半导体材料的NO
2气体传感器及其制备方法，属于二维过渡金属硫化物半导体材料气体传感器技术领域。本发明的传感器由外表面带有线宽为75μm的Au叉指电极的
氧化铝陶瓷片和涂覆在电极上的二维SnS
2纳米花半导体敏感材料组成。SnS
2纳米花的直径为30～50μm，纳米花瓣的厚度在10nm以下。本发明利用二维层状SnS
2纳米花半导体材料具有对NO
2选择性好、比表面积大、物理化学性质稳定的特点，达到提高传感器对NO
2的响应值、实现室温工作降低功耗、耐湿的功效。此外，本发明工艺简单，器件寿命长，适于大批量生产，在检测NO
2气体领域有广阔的应用前景。
声明：
“基于二维层状SnS2纳米花半导体材料的NO2气体传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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