本发明公开了一种雷达电子控制元件用晶元的加工方法，步骤（1）所述的氮化硅膜沉积方法，该方法采用化学沉积技术，快速简便，所述微波功率设定为750W，该功率能够保证氮化硅形成的膜厚度较为均匀合适，所述硅源气体与氮化源气体的流量比例为1:5，该比例下能够在保证硅源完全反应后，还能利用剩余的氮气形成无氧的环境，以保护氮化硅膜，所述步骤（7）：所述电子束光刻胶的去除方法，该方法能够彻底去除晶元表面多余的光刻胶，所述丙酮溶液和乙醇溶液分别为分析纯级的丙酮溶液和无水乙醇溶液，该等级的有机溶剂，纯度高，能够防止晶元表面的污染。
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来源：北方有色网
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