本发明公开了一种基于萘酰亚胺与噻吩的n‑型有机
半导体材料及其制备方法和应用，该n‑型有机半导体材料的化学结构式如式Ⅰ所示。本发明利用具有平面刚性萘酰亚胺为强吸电子单元，利用强导电性的噻吩衍生物为给电子单元，构成了有机小分子n‑型半导体材料(NDIN‑2S)，并用核磁、质谱表征了这些聚合物及其中间体的结构，用紫外可见光分光光度计表征了其光物理性质，通过热重分析了其热稳定性。结果表明这类材料具有高的电子迁移率，良好的吸光性，优异的热稳定性，合适的能级，是理想的
钙钛矿太阳能电池阴极修饰层材料。
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“基于萘酰亚胺与噻吩的n-型有机半导体材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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