本发明提供一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置和生长方法，该装置包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。采用该硅片承载装置生长二氧化硅背封膜的方法包括以下步骤：(1)将若干个硅片承载装置安装在化学气相沉积水平卧式炉的沉积腔体内，然后将硅片导入该些硅片承载装置；(2)设定沉积腔体内的温度和压力，设定正硅酸乙酯蒸汽的流量，控制沉积时间；(3)沉积完成后，进行腔体净化，取出硅片测定片内和片间均匀性；(4)整炉硅片进行外观表面检测，计算良率。采用本发明生长出来的背封二氧化硅背封膜边缘没有印记，整个表面均匀一致，膜质质量大幅提升。
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来源：北方有色网
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