本发明涉及
碳纳米管制备与结构控制领域，具体为一种高效筛选高质量碳纳米管生长条件的高通量方法。将离子束沉积方法与四元模板法相结合，在同一标记硅片基底上制备出不同厚度或成分组合的催化剂薄膜，并采用化学气相沉积法催化生长获得碳纳米管水平网络。此后对样品进行拉曼光谱面扫分析，将获得的碳纳米管G、D模强度比值作为判断碳纳米管质量的依据，并利用标记硅片定位关联催化剂薄膜厚度或成分等与碳纳米管质量的关系。进一步建立Excel模板对多组G、D模强度比进行自动分析，筛选出生长高质量碳纳米管的最佳催化剂薄膜厚度和最佳生长条件。从而，适于高效筛选出催化剂厚度或成分、温度、气氛等反应参数，生长高质量碳纳米管。
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“高效筛选高质量碳纳米管生长条件的高通量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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