本发明提出的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，该工艺步骤如下：1）进行有源区氧化物沉积，氮化硅（SIN）沉积，形成衬底；2）进行浅沟槽隔离（STI）刻蚀；3）进行浅沟槽隔离（STI）内衬氧化物层沉积；4）进行含氮的等离子体处理；5）进行浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；6)进行透射电镜（TEM）空洞检测；7）如检测结果不符合要求，则对工艺参数进行调整，再次实施步骤（5）浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；如检测结果符合要求，则确认工艺参数，确定工艺流程。本发明的工艺方法可缩短高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）填充浅沟槽隔离(STI)的工艺调整周期，非常适于实用。
声明：
“减少浅沟槽隔离缺陷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1127
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
